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参数资料
| 型号： | FFPF60B150DS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | DAMPER + MODULATION DIODE |
| 中文描述： | 6 A, 1500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | FFPF60B150DS |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, March 2001
F
Electrical Characteristics*(Modulation)
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
FM
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 20A
I
F
= 20A
I
RM
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
* Pulse Test: Pulse Width=300
μ
s, Duty Cycle
=
2%
Electrical Characteristics*(Damper)
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
FM
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 6A
I
F
= 6A
I
RM
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
* Pulse Test: Pulse Width=300
μ
s, Duty Cycle
=
2%
Min.
Typ.
Max.
Units
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
2.2
2.0
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
10
100
90
8
360
μ
A
t
rr
I
rr
Q
rr
Maximum Reverse Recovery Time
Maximum Reverse Recovery Current
Maximum Reverse Recovery Charge
(I
F
=20A, di/dt = 200A/
μ
s)
ns
A
nC
Min
Typ
Max
Units
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
1.6
1.4
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
7
60
170
μ
A
t
rr
Maximum Reverse Recovery Time
(I
F
=1.0A, di/dt = 50A/
μ
s)
Maximum Forward Recovery Time
(I
F
=6.5A, di/dt = 50A/
μ
s)
Maximum Forward Recovery Voltage
ns
t
fr
350
ns
V
FRM
17
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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