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参数资料
| 型号： | FGA252-638T |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA252, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | FGA252-638T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA25N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT |
| FGA25N120AND | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT |
| FGA25N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA25N120ANTD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-3P TUBE 30 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT 1200V 50A TO-3PN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:50A, C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,NPT,TO-3PN, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:50A, Collector Emitter Voltage Vces:2.5V, Power Dissipation Pd:312W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Range:-55C to +150C, Transistor Case , RoHS Compliant: Yes |
| FGA25N120ANTD_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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