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参数资料
| 型号： | FGA303-638T |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA303, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | FGA303-638T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGAX560-638T | BGA560, IC SOCKET |
| FGA736638T | BGA736, IC SOCKET |
| FGAX736-638T | BGA736, IC SOCKET |
| FGAX169-638G | BGA169, IC SOCKET |
| FGSWG-TTL-13G | SQUARE, 13 MHz, WAVEFORM GENERATION, PDSO5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA30N120FTD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1200V NCHANNEL IGBT - Rail/Tube |
| FGA30N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 30A FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA30N60LSD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:MOSFETs and bipolar transistors |
| FGA30N60LSDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 30A 600V N-Ch Planar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA30N65SMD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:650V 30A FS PLANAR GEN2 IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 |
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