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参数资料
| 型号： | FGA824-823G |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA824, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FGA824-823G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA483-823G | BGA483, IC SOCKET |
| FHAX165-824G | BGA165, IC SOCKET |
| FHA1728-737G | BGA1728, IC SOCKET |
| FHAX916-737G | BGA916, IC SOCKET |
| FJA80-736G | BGA80, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA90N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V PDP IGBT |
| FGA90N30D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V PDP IGBT |
| FGA90N30DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 TBD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA90N30TU | 功能描述:IGBT 晶体管 TBD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA90N33AT | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:330V, 90A PDP Trench IGBT |
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