参数资料
型号: FGP30DHE3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 67K
描述: DIODE 3A 200V 35NS SMC DO-204AC
标准包装: 4,000
系列: SUPERECTIFIER®
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 200V
电容@ Vr, F: 70pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
供应商设备封装: DO-204AC(DO-15)
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
TDD
wwwymhayeom
a
0.1
lnstantaneous FonNard Current (A)
instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
T00
10
Current (DA)
:1
am
instantaneous Reverse Leakage
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. A - Typical Reverse Leakage Characteristics
FGP30B, FGP30C, FGP30D
Vishay General Semiconductor
TOD
Junction Capacitance (pF)
T 0
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Transient Thermal impedance (“C/W)
t - Pulse Duration (S)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Do-204Ac (D0-15)
<>
1 D(25.A]MlN.
Ll0.300 (7.6)0.230 (5.0)llalL‘ 0.140 (3.5)DIA.
lk0.034 (0.86)0.020 (0.71)DIA
t D(25.A]MlN.
Revision: 12?Dec-13
3For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurcpe@vishay.com
‘ 0.104 (2.6)
Document N umber: 88878
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PDF描述
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参数描述
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FGP30N6S2 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGP30N6S2D 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGP-3401-0501-2-0FF 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows)
FGP-4001-0501-2-0FF 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows)