| 型号： | FGP30DHE3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 67K |
| 描述： | DIODE 3A 200V 35NS SMC DO-204AC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SUPERECTIFIER® |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AC，DO-15，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AC（DO-15） |
| 包装： | 带盒（TB） |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-4809SRWZ/H6/C | CONV DC/DC 3W 18-72VIN 09VOUT |
| FGP30D-E3/73 | DIODE 3A 200V 35NS SMC DO-204AC |
| FGP30CHE3/73 | DIODE 3A 150V 35NS SMC DO-204AC |
| REC3-4809SRWZ/H6/A | CONV DC/DC 3W 18-72VIN 09VOUT |
| R-525.0PA | CONV DC/DC 2A 6.5-18VIN 5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP30N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP30N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP-3401-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP-4001-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP40N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |