参数资料
型号: FGP50DHE3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 68K
描述: DIODE 5A 200V 35NS GP20 AXIAL
标准包装: 1,400
系列: SUPERECTIFIER®
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 5A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 200V
电容@ Vr, F: 100pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: GP20
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
100
wwwymhaycom
8
0.1
instantaneous FonNard Current (A)
Pulse Width : 300 Us1 % Duty Cycle
DE
Instantaneous Forward Voltage (V)
1.0 12
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
100
10
PCurrent (UA)
0.01
instantaneous Reverse Leakage
O 0010 20 40 60 so
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
100
Fig. A - Typical Reverse Leakage Characteristics
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
FGP50B, FGP50C, FGP50D
Vishay General Semiconductor
1000
100
Junction Capacitance (pF)
8
GP20
1.9 (25 4)MIN.
a 2m (5 31 +a ‘go (4 81DlA
0 375 (9.510 285 (7.21
1.9 (25 4)MIN.
o.u42 (1 07)0.037 (0 94) ¢DIA
Revision: 12-Dec-13 3
1 10
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Document N umber: 88879
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PDF描述
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FYD0504SATM DIODE SCHOTTKY 40V 5A PAK
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相关代理商/技术参数
参数描述
FGP50DHE3-73 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier
FGP5N60LS 功能描述:IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGP5N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 5A Field Stop IGBT
FGP5N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶体管 600V, 5A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGP6007 制造商:FCI 制造商全称:First Components International 功能描述:60 Amp Glass Passivated Standard Rectifiers