| 型号： | FGP50DHE3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 68K |
| 描述： | DIODE 5A 200V 35NS GP20 AXIAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SUPERECTIFIER® |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 100pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | GP20 |
| 包装： | 带盒（TB） |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMM06DTKH | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| RBC10DCSD | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
| HCC05DRYN | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| HCC05DRYH | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| 591D227X96W3C2T20H | CAP TANT 220UF 6.3V 10% 2812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP5N60LS | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP5N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 5A Field Stop IGBT |
| FGP5N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V, 5A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP6007 | 制造商:FCI 制造商全称:First Components International 功能描述:60 Amp Glass Passivated Standard Rectifiers |
| FGP7N60RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 7A RUF IGBT CO-PAK |