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参数资料
| 型号： | FJA224-736G |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA224, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FJA224-736G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FJA112-829G | BGA112, IC SOCKET |
| FJA180-829G | BGA180, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FJA3835 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier |
| FJA3835TU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJA4210 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJA4210OTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJA4210RTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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