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参数资料
| 型号： | FLLD261 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE TO-236AB |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.4V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 250mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 400ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FLLD261FSDKR |
FLLD261
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
P8A
PD
. . . .350 mW @ T
A
= 25 Deg C
BV
. . . .200 V (M
IN) @ IR
= 5 uA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)
TEMPERATURES
Storage Temperature
-55 to +
150 Degrees C
Operating Junction Temperature
-55 to +150 Degrees C
POWER DISSIPATION
(NOTES 2 & 3)
Total Device Dissipation at TA = 25 Deg C
350 mW
Derating Factor per Degree C
2.8 mW
VOLTAGES & CURRENTS
WIV
Working Inverse Voltage
100 V
IO
Average Rectified Current
250 mA
IF
DC Forward Current
600 mA
if
Recurrent Peak Forward Current
700 mA
if (surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1 second
1.0 A
Pulse width = 1 microsec
3.0 A
PACKAGE
TO-236AB (Low)
3
1
2
NOTES:
1.
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
2.
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
SYM
CHARACTERISTICS
MIN MAX UNITS
TEST CONDITIONS
B
V
Breakdown Voltage
200
V
IR
=
5.0 uA
I
R
Reverse Voltage Leakage Current
5.0
nA
VR
=
100 V
5.0
uA
VR
=
100 V
TA
= 150 Deg C
V
F
Forward Voltage
1.40
V
IF
=
200 mA
C
T
Diode Capacitance
4.0
pF
VR
=
1.0 V
f = 1.0 MHZ
T
RR
Reverse Recovery Time
400
ns
IF
= I
R
= 50 to 400 mA
IRR
= 10% I
R
RL
= 100 ohms
T
FR
Forward Recovery Time
10
ns
IF
=
10 mA
V
FM
Peak Forward Voltage
0.9
V
IF
=
10 mA
Typ
Rise Time = 5 ns +/-20%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25 Degrees C Ambient Temperature unless otherwise stated)
3
2
1
CONNECTION DIAGRAMS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FLLD261 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode |
| FLLD261TA | 功能描述:整流器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FLLD261TC | 功能描述:整流器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FLLD263 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SILICON PLANAR LOW LEAKAGE COMMON ANODE DIODE PAIR |
| FLLD263TA | 功能描述:整流器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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