参数资料
型号: FMC7A
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25
中文描述: 晶体管| 50V五(巴西)总裁| 100mA的一(c)|采用SOT - 25
文件页数: 1/1页
文件大小: 36K
代理商: FMC7A
EMD12 / UMD12N / FMC7A
Transistors
Power management
(dual digital transistors)
EMD12 / UMD12N / FMC7A
Features
1) Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT
or SMT package.
Equivalent circuit
FMC7A
EMD12 / UMD12N
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
R1
R2
R1
R2
R1
R2
Package, marking, and packaging specifications
Type
EMD12
EMT6
D12
T2R
8000
UMD12N
UMT6
D12
TR
3000
FMC7A
SMT5
C7
T148
3000
Package
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
Parameter
1 120mW per element must not be exceeded. 2 200mW per element must not be exceeded.
PNP type negative symbols have been omitted
Symbol
VCC
VIN
IO
IC
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
40
10
100
30
300(TOTAL)
150(TOTAL)
FMC7A
EMD12 / UMD12N
150
55~+150
Unit
V
mA
mW
1
2
°C
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta = 25
°C)
External dimensions (Units : mm)
Each lead has same dimensions
ROHM : EMT6
EMD12
UMD12N
Each lead has same dimensions
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
0to0.1
( 6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1Min.
2.1
0.65
0.2
1.25
( 1
)
0.65
( 4
)
( 3
)
( 2
)
( 5
)
FMC7A
Each lead has same dimensions
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
0.22
1.2
1.6
(1)
(2)
(5)
(3)
(6)
(4)
0.13
0.5
1.0
1.6
0to0.1
1.1
0.8
0.3to0.6
0.15
1.6
2.8
2.9
0.95
1.9
( 4
)
( 5
)
( 1
)
0.3
( 3
)
0.95
( 2
)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Input resistance
VI (off)
VI (on)
VO (on)
II
IO (off)
GI
fT
R1
3
68
32.9
0.8
47
1
0.5
0.3
0.18
0.5
61.1
1.2
V
mA
A
MHz
k
R2 / R1
250
VCC
=5/5V, IO=100/100A
VO
=0.3/0.3V, IO=2/2mA
IO
=10/10mA, II=0.5/0.5mA
VI
=5/5V
VCC
=50/50V, VI=0V
IO
=5/5mA, VO=5/5V
VCE
=10/10V, IE=5/5mA, f=100MHz
Transition frequency of the device. PNP type negative symbols have been omitted
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Transition frequency
Resistance ratio
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FMC7G30US60 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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