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参数资料
| 型号： | FMS6690MTC20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FILTER LCVF SD/PS/HD 20TSSOP |
| 标准包装： | 73 |
| 类型： | 视频滤波器 |
| 应用： | 录音机，机顶盒 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FMS6690 Rev. 1.0.3
6
FM
S6690
—
Six
C
h
annel,
6
th
Order,
SD/PS/HD
Video
Filt
er
Driver
Typical Performance Characteristics
Unless otherwise noted TC=25°C, VIN=1VPP, VCC=5V, RSOURCE=37.5, inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC
coupled with 220F into150 loads.
Figure 3. SD Gain vs. Frequency
Figure 4. SD Flatness vs. Frequency
Figure 5. PS Gain vs. Frequency
Figure 6. PS Flatness vs. Frequency
Figure 7. HD Gain vs. Frequency
Figure 8. HD Flatness vs. Frequency
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS6128-04G-XTP | IC CLOCK GEN PLL W/VCXO 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMS6690MTC20X | 功能描述:视频 IC Ang fg 6Chnl6thOrd SD/PS/HD VidFltrDrvr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作电源电压:5 V 电源电流:80 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TSSOP-28 封装:Reel |
| FMS6G10US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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