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参数资料
| 型号： | FOD3180SDV |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER MOSF GATE DVR 8-SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 8-DIP Package |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 105ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 10mA ~ 16mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 推挽式/图腾柱 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | 8-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2761 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FOD3180SDVDKR |
August 2008
FOD3180
2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver
Optocoupler
Features
■ Guaranteed operating temperature range of -40°C to
+100°C
Description
The FOD3180 is a 2A Output Current, High Speed
MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a
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2A minimum peak output current
High speed response: 200ns max propagation delay
over temperature range
250kHz maximum switching speed
30ns typ pulse width distortion
Wide V CC operating range: 10V to 20V
5000Vrms, 1 minute isolation
Under voltage lockout protection (UVLO) with
hysteresis
Minimum creepage distance of 7.0mm
Minimum clearance distance of 7.0mm
C-UL, UL and VDE* approved
R DS(ON) of 1.5 ? (typ.) offers lower power dissipation
15kV/μs minimum common mode rejection
aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode
optically coupled to a CMOS detector with PMOS and
NMOS output power transistors integrated circuit power
stage. It is ideally suited for high frequency driving of
power MOSFETs used in Plasma Display Panels
(PDPs), motor control inverter applications and high
performance DC/DC converters.
The device is packaged in an 8-pin dual in-line housing
compatible with 260°C reflow processes for lead free
solder compliance.
Applications
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Plasma Display Panel
High performance DC/DC convertor
High performance switch mode power supply
High performance uninterruptible power supply
Isolated Power MOSFET gate drive
*Requires ‘V’ ordering option
Functional Block Diagram
FOD3180
NO CONNECTION 1
8 VCC
Package Outlines
8
ANODE 2
CATHODE 3
7 OUTPUT
6 OUTPUT
1
NO CONNECTION 4
Note:
5 VEE
8
1
8
1
A 0.1μF bypass capacitor must be connected between pins 5 and 8.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3180 Rev. 1.0.6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2-6116353-9 | CONN MOD JACK 2PORT RED/GRN |
| 2-6116353-8 | CONN MOD JACK 2PORT YLW/GRN |
| 1-6116353-3 | CONN MOD JACK 2PORT RED/GRN |
| 6116353-8 | CONN MOD JACK 2PORT 8/8 YLW/GRN |
| 6339167-4 | CONN MOD JACK 4PORT 8/8 PCB R/A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3180SV | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180T | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180TSV | 功能描述:高速光耦合器 2A OUTPUT CURRENT IGBT/MOSFET RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180TV | 功能描述:高速光耦合器 2A IGBT/FET GTE DRV OPTOCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3180V | 功能描述:高速光耦合器 2A Out Cur Hi Spd IGBT MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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