参数资料
型号: FOD3180SV
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER HS 20V 2A VDE 8-SMD
标准包装: 1,000
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 2A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 105ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 10mA ~ 16mA
输入类型: DC
输出类型: 推挽式/图腾柱
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD
供应商设备封装: 8-SMD
包装: 管件
Typical Performance Curves (Continued)
200
Fig. 7 Propagation Delay vs. Load Capacitance
V CC = 20V, V EE = 0
200
Fig. 8 Propagation Delay vs. Forward LED Current
V CC = 20V, V EE = 0
180
160
140
I F = 10mA, T A = 25 o C
R G = 10? , C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
t PHL
180
160
140
R G = 10?, C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
T A = 25 o C
t PHL
120
100
80
60
t PLH
120
100
80
60
t PLH
5
10
15
20
25
6
8
10
12
14
16
C G – LOAD CAPACITANCE (nF)
Fig. 9 Propagation Delay vs. Series Load Resistance
200
I F – FORWARD LED CURRENT (mA)
Fig. 10 Propagation Delay vs. Ambient Temperature
200
180
V CC = 20V, V EE = 0
I F = 10mA, T A = 25 o C
C G = 10nF
180
V CC = 20V, V EE = 0
I F = 10mA
R G = 10?, C G = 10nF
160
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
160
f = 250kHz, D. Cycle = 50%
140
120
100
80
60
t PLH
t PHL
140
120
100
80
60
t PHL
t PLH
10
20
30
40
50
-40
-20
0
20
40
60
80
100
R G – SERIES LOAD RESISTANCE (?)
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 Propagation Delay vs. Supply Voltage
180
I F = 10mA, T A = 25 o C
160
140
R G = 10?, C G = 10nF
f = 250 kHz, D. Cycle = 50%
t PHL
120
t PLH
100
80
60
10
15
20
25
V CC – SUPPLY VOLTAGE (V)
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3180 Rev. 1.0.6
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FOD3180T 功能描述:高速光耦合器 2A Out Curr High Spd IGBT Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3180TSV 功能描述:高速光耦合器 2A OUTPUT CURRENT IGBT/MOSFET RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3180TV 功能描述:高速光耦合器 2A IGBT/FET GTE DRV OPTOCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3180V 功能描述:高速光耦合器 2A Out Cur Hi Spd IGBT MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3181 功能描述:高速光耦合器 MOSFET 20V Gate Drvr Optically Isolated RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube