参数资料
型号: FOD3180V
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 10/13页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER HS 20V 2A VDE 8-DIP
标准包装: 1,000
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 2A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 105ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 10mA ~ 16mA
输入类型: DC
输出类型: 推挽式/图腾柱
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
Carrier Tape Specifications
D 0
K 0
t
P 0
P 2
E
Symbol
W
t
P 0
D 0
E
F
W 1
d
User Direction of Feed
Description
Tape Width
Tape Thickness
Sprocket Hole Pitch
Sprocket Hole Diameter
Sprocket Hole Location
Pocket Location
B 0
A 0
F
P
D 1
Dimension in mm
16.0 ± 0.3
0.30 ± 0.05
4.0 ± 0.1
1.55 ± 0.05
1.75 ± 0.10
7.5 ± 0.1
W
P 2
4.0 ± 0.1
P
A 0
B 0
K 0
W 1
d
R
Pocket Pitch
Pocket Dimensions
Cover Tape Width
Cover Tape Thickness
Max. Component Rotation or Tilt
Min. Bending Radius
12.0 ± 0.1
10.30 ±0.20
10.30 ±0.20
4.90 ±0.20
1.6 ± 0.1
0.1 max
10°
30
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3180 Rev. 1.0.6
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FOD3180SV OPTOCOUPLER HS 20V 2A VDE 8-SMD
3385-7600 SOCKET CONN 14 CONT CLOSED W/POL
FOD3150TSR2 OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP
CHG-2006-001010-KCP CONN RECEPT IDC 6POS 28-26 AWG
FOD3150SDV OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP
相关代理商/技术参数
参数描述
FOD3181 功能描述:高速光耦合器 MOSFET 20V Gate Drvr Optically Isolated RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3181_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:0.5A Ouput Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler
FOD3181S 功能描述:高速光耦合器 0.5A Output Current Hi Spd MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3181SD 功能描述:高速光耦合器 0.5A Output Current Hi Spd MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3181SDV 功能描述:高速光耦合器 0.5A Output Current Hi Spd MOSFET OPTO RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube