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参数资料
| 型号： | FOD817A3SD |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 4-SMD |
| 产品目录绘图： | FOD Series 4-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 80% @ 5mA |
| 电流传输比（最大）： | 160% @ 5mA |
| 输出电压： | 70V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 100mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FOD817A3SDDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Device
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
EMITTER
V F
Forward Voltage
FOD814
I F = ±20mA
1.2
1.4
V
FOD817
I F = 20mA
1.2
1.4
I R
Reverse Leakage Current
FOD817
V R = 4.0V
10
μA
C t
Terminal Capacitance
FOD814
V = 0, f = 1kHz
50
250
pF
FOD817
V = 0, f = 1kHz
30
250
DETECTOR
I CEO
Collector Dark Current
FOD814
V CE = 20V, I F = 0
100
nA
FOD817
V CE = 20V, I F = 0
100
BV CEO
BV ECO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
Emitter-Collector Breakdown
Voltage
FOD814
FOD817
FOD814
FOD817
I C = 0.1mA, I F = 0
I C = 0.1mA, I F = 0
I E = 10μA, I F = 0
I E = 10μA, I F = 0
70
70
6
6
V
V
DC Transfer Characteristics
DC
Symbol
Characteristic
Device
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
CTR
Current Transfer
FOD814
I F = ±1mA, V CE =
5V (1)
20
300
%
Ratio
FOD814A
50
150
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
I F = 5mA, V CE = 5V (1)
50
80
130
200
300
600
160
260
400
600
V CE (sat) Collector-Emitter
Saturation Voltage
FOD814
FOD817
I F = ±20mA, I C = 1mA
I F = 20mA, I C = 1mA
0.1
0.1
0.2
0.2
V
AC Transfer Characteristics
Symbol AC Characteristic
Device
Test Conditions
Min.
Typ.* Max. Unit
f C
Cut-Off Frequency
FOD814
V CE = 5V, I C = 2mA, R L = 100 ? ,
15
80
kHz
-3dB
t r
Response Time (Rise)
FOD814,
V CE = 2 V, I C = 2mA, R L = 100 ? (2)
4
18
μs
FOD817
t f
Response Time (Fall)
FOD814,
3
18
μs
FOD817
*Typical values at T A = 25°C
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD814 Series, FOD817 Series Rev. 1.1.5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FOD817DSD | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 4-SMD |
| FOD8320 | OPTO GATE DRIVE 2.5A 5-SOIC |
| FOD852W | OPTOCOUPLER DARL OUT RBE 4DIP |
| FODM121E | OPTOCOUPLER TRANS OUT 4-MFP |
| FODM3023R1_NF098 | OPTOCOUPLER TRIAC 400V 4-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD817A3SD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| FOD817AS | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Opto Phototransistor Output SM-DIP4 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FOD817ASD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Opto Phototransistor Output SM-DIP4 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FOD817ASD_F117 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FOD817AW | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Output RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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