参数资料
型号: FOD852300
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 3/13页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER DARL OUT RBE 4DIP
产品目录绘图: FOD Series 4-DIP Package
标准包装: 2,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5000Vrms
电流传输比(最小值): 1000% @ 1mA
电流传输比(最大): 15000% @ 1mA
输出电压: 300V
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 1.2V
输出类型: 达林顿晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2759 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise specified.
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input
V F
I R
C t
Forward Voltage
Reverse Current
Terminal Capacitance
I F = 10 mA
V R = 4 V
V = 0, f = 1 kHz
1.2
30
1.4
10
250
V
μA
pF
Output
I CEO
BV CEO
BV ECO
Collector Dark Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
V CE = 200 V, I F = 0
I C = 0.1 mA, I F = 0
I E = 10 μA, I F = 0
300
0.1
200
nA
V
V
Transfer Characteristics
Symbol
I C
DC Characteristic
Collector Current
Test Conditions
I F = 1 mA, V CE = 2 V
Min.
10
Typ.
40
Max.
150
Unit
mA
CTR
Current Transfer
Ratio (1)
1,000
4,000
15,000
%
V CE(SAT)
Collector-Emitter
I F = 20 mA, I C = 100 mA
1.2
V
Saturation Voltage
R ISO
Isolation Resistance
DC = 5000 V,
5x10 10 1x10 11
Ω
40% to 60% Relative Humidity
C F
Floating Capacitance
V = 0, f = 1 MHz
0.6
1
pF
f C
Cut-Off Frequency
V CE = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω , -3 dB
1
7
kHz
t R
t F
Response Time (Rise)
Response Time (Fall)
V CE = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω
100
20
300
100
μs
μs
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
Characteristic
Input-Output Isolation
Test Conditions
f = 60 Hz, t = 1 minute, I I-O ≤ 2 μA
Min.
5000
Typ.
Max.
Units
V AC(RMS)
Voltage
R ISO
Isolation Resistance
V I-O = 500 V DC
5 x 10 10
10 11
Ω
C ISO
Isolation Capacitance
V I-O = 0, f = 1 MHz
0.6
1.0
pf
Note:
1. Current Transfer Ratio (CTR) = I C / I F x 100%.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD852 Rev. 1.2.2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FOD8523S 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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FOD852S 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FOD852SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 4Pin DIP Photo Darl Optocoupler RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk