参数资料
型号: FODM121AR1V
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER TRANS OUT VDE 4-SMD
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比(最小值): 100% @ 5mA
电流传输比(最大): 300% @ 5mA
输出电压: 80V
电流 - 输出 / 通道: 80mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SMD,鸥翼型
包装: 带卷 (TR)
T A = 25 C
Fig 13. Collector Current vs. Ambient Temperature
(FODM124)
V CE = 0.5V
Fig. 14 Collector Current vs. Collector-Emitter Voltage
(FODM124)
10
o
I F = 5mA
I F = 10mA
8
I F = 10mA
10
I F = 2mA
6
I F = 5mA
1
I F = 1mA
I F = 0.5mA
4
2
I F = 2mA
I F = 1mA
I F = 0.5mA
0.1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T A - Ambient Temperature (°C)
Fig. 15 Collector Dark Current vs. Ambient
Temperature (FODM124)
160
V CE - Collector-Emitter Voltage (V)
Fig. 16 Normalized Current Transfer Ratio vs.
Ambient Temperature (FODM124)
10000
V CE = 40V
140
I F = 1mA,
V CE = 0.5V
Normalized to T A = 25°C
1000
120
100
100
80
10
60
1
0.1
40
20
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T A - Ambient Temperature (°C)
T A - Ambient Temperature (°C)
Fig. 17 Switching Time vs. Load Resistance (FODM124)
V CC = 5V
I F = 1mA
1000
T A = 25°C
t OFF
100
t S
10
t ON
1
1
10
R L - Load Resistance (k?)
100
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FODMXXX Rev. 1.1.4
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FODM121AR2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototrans Ouput MFP Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM121AR2V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototrans Ouput MFP Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM121AV 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototrans Ouput MFP Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM121B 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Full pitch MFP PhotoTrans Ouput RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM121BR1 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototrans Ouput MFP Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk