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参数资料
| 型号： | FPA-FDDI-A-12M |
| 厂商： | ADC |
| 元件分类： | 连接器件 |
| 英文描述： | INTERCONNECTION DEVICE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 664K |
| 代理商： | FPA-FDDI-A-12M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPTR-MST/MSC-A-12M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPT-PSC/APST-S-6M-H | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPTR-MST-B-12M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPTZ-FDDI-B-12M | INTERCONNECTION DEVICE |
| FPC9-SBK/PD4-S-15M-H | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FP-AI-100 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| FP-AIO-600 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input/Output Combination Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| FPAL10SH60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A/SPM/HIGH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL15SH60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/IPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL15SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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