型号: | FPAD-APFC/APST-S-6M-H |
厂商: | ADC |
元件分类: | 连接器件 |
英文描述: | INTERCONNECTION DEVICE |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 664K |
代理商: | FPAD-APFC/APST-S-6M-H |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FP-AI-100 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
FP-AIO-600 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input/Output Combination Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
FPAL10SH60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A/SPM/HIGH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
FPAL15SH60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/IPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
FPAL15SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |