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参数资料
| 型号： | FQA11N90 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 960 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
1
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
1
150 C
10
25 C
10
-55 C
0
Bottom : 5.5 V
※ Notes :
0
o
o
o
※ Notes :
10
-1
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.6
V GS = 10V
1
10
V GS = 20V
1.2
0
0.8
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.4
0
8
16
24
32
40
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
5000
4500
4000
3500
3000
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 180V
V DS = 450V
V DS = 720V
2500
6
2000
1500
1000
500
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 11.4 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA11N90_F109 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638132700 | TOOL HAND EXTRACTION |
| ABM2-15.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 15.000 MHZ 18PF SMD |
| SI7388DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
| ABM2-32.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 32.000 MHZ 18PF SMD |
| ASVMPC-14.31818MHZ-Z-T | OSC 14.31818 MHZ CMOS MEMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA11N90 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA11N90_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQA11N90_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQA11N90_F109 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA11N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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