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参数资料
| 型号： | FQA27N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P Pkg |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 210W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
October 2013
FQA27N25
N-Channel QFET ? MOSFET
250 V, 27 A, 110 m?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
? 27 A, 250 V, R DS(on) = 110 mΩ (Max.) @ V GS = 10 V,
I D = 13.5 A
? Low Gate Charge ( Typ. 50nC)
? Low Crss( Typ. 45pF)
? 100% Avalanche Tested
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G
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TO-3PN
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= 25 C unless otherwise noted.
Absolute Maximum Ratings T
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?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA27N25 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA28N15_F109 | MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P |
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| FQA32N20C | MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P |
| FQA36P15_F109 | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P |
| FQA40N25 | MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA28N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA28N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQA28N15_F109 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA28N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA28N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
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