参数资料
型号: FQA30N40
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 140 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 25V
功率 - 最大: 290W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQA30N40
Device
FQA30N40
Package
TO-3PN
Reel Size
-
Tape Width
-
Quantity
30
                                                                   
      
         
               
   
   
   
    
                   
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Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 2.7 mH, I AS = 30 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 30 A, di/dt ≤ 2 00A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA30N40 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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