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参数资料
| 型号： | FQA36P15_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3320pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 294W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
-15.0 V
-10.0 V
2
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
10
10
175 C
1
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
1
o
25 C
-55 C
o
o
10
10
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.4
0.3
V GS = -10V
0.2
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
1
10
0.1
V GS = -20V
0
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
※ Note : T J = 25 ℃
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
-V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C oss
C iss
C rss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
14
12
10
8
6
V DS = -30V
V DS = -75V
V DS = -120V
2000
1000
4
2
※ Note : I D = -36A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA36P15 Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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