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参数资料
| 型号： | FQA46N15 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA46N15-ND FQA46N15FS |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
10
2
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
1
175 ℃
25 ℃
10
10
1
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
.
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.20
2
0.15
V GS = 10V
10
0.10
V GS = 20V
1
0.05
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃ 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.00
0
40
80 120 160
I D , Drain Current [A]
200
240
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.6
1.8
2.0
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
5000
4000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
C oss
3000
6
2000
1000
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 45.6 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
30
40
5 0
60
7 0
80
90
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA46N15 Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP9N90C | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 |
| ASE3-50.000MHZ-KT | OSCILLATOR 50.000 MHZ 1.8V SMD |
| MAX4473EUA+ | IC AMP PA PWR GSM CONTROL 8-MSOP |
| MAX4473EUA | IC AMP PA PWR GSM CONTROL 8-MSOP |
| MAX4473ESA | IC AMP PA PWR GSM CONTROL 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA46N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQA46N15_F109 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA47P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA47P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-3P |
| FQA48N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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