参数资料
型号: FQAF16N50
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 320 毫欧 @ 5.65A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 通孔
封装/外壳: SC-94
供应商设备封装: TO-3PF
包装: 管件
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQAF1 6N50
Top Mark
FQAF16N50
Package
TO-3P F
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
3 0 units
= 25 C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics T
C
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1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 13.8 mH, I AS = 11.3 A, V DD = 50 V, R G = 25 ? , Starting T J = 25 o C
3. I SD ≤ 16 A , di/dt ≤ 2 00 A/μs, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25 o C
4. Essentially independent of operating temperature
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQAF16N50 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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FQAF17P10 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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