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参数资料
| 型号： | FQB9N50CTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB9N50CTMFSDKR |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO263 (D 2 PAK), Molded, 2-Lead, Surface Mount
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?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB9N50C Rev. C1
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASET-12.000MHZ-Y-T | OSC 12.000 MHZ 3.0V SMD |
| ASET-11.0592MHZ-Y-T | OSC 11.0592 MHZ 3.0V SMD |
| SUD50N03-09P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| B32529C3222K289 | CAP FILM 2200PF 250VDC RADIAL |
| ZXM64P02XTA | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB9N50TM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB9P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQB9P25TM | 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQBAT1 | 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:BATTERY |
| FQ-BAT1 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:BATTERY 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:BATTERY 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:Battery 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:Battery |
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