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参数资料
| 型号： | FQD19N10TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
1.2
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 7.8 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
16
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
is Limited by R DS(on)
100 ? s
10 ? s
12
10
10
1
0
DC
※ Notes :
10 ms
1 ms
8
4
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 2 .5 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
- 1
10
0
10
1
t 1 , R e c t a n g u l a r P u l s e D u r a t i o n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD19N10 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32560J6152K189 | FILM CAP 1.5NF 10% 400V |
| B32560J6102K289 | FILM CAP 1.0NF 10% 400V |
| AML22HBR8AC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| 7A-12.288MAAJ-T | CRYSTAL 12.288 MHZ 18PF SMD |
| AML21LBE3BD | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD19N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD19N10TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 100V 15.6A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD-1F | 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
| FQD-1F-1000 | 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
| FQD-1I | 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
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