参数资料
型号: FQD2N100TF
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
标准包装: 2,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 欧姆 @ 800mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N100 / FQU2N100 Rev. C0
DUT
5
V DD
t p
V DS (t)
Time
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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