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参数资料
| 型号： | FQD2N80TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO252 (D-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA&AB
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?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N80 Rev. C 1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
| NTD78N03-035 | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK |
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| B82732F2451B001 | COIL CHOKE 100MH 450MA PIN |
| 1-1624191-1 | POT 10K OHM 1/10W 20% TOP |
| NTD78N03 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD2N80TM | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2N80TM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 800V, 1.8mA |
| FQD2N80TM_WS | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQD2N90_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
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