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参数资料
| 型号： | FQD2N90TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD2N90TFDKR |
Mechanical Dimensions
Figure 17 . TO-251 (I-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA
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?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N90 / FQU2N90 Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLFB24C | SWITCH TOP ROLLR PLNGR SNAP DPDT |
| FXO-HC736R-8.192 | OSC 8.192 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| DLW5BSN102SQ2L | CHOKE COMMON MODE 1000 OHM 2020 |
| ABM8-16.800MHZ-10-1-U-T | CRYSTAL 16.8000MHZ 10PF SMD |
| ASA-60.000MHZ-L-T3 | OSC 60.000 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD2N90TM | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQD2P25TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2P25TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2P40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET |
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