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参数资料
| 型号： | FQD2P40TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 780mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
0
Top :
V GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
10
10
Bottom : -5.5 V
0
150 ℃
-1
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
12
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = - 10V
10
8
V GS = - 20V
0
6
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
4
0
1
2
3
4
5
6
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
600
500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -80V
V DS = -200V
400
300
C iss
8
6
V DS = -320V
200
100
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = -2.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2P40 Rev. C 0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C1333J189 | FILM CAP 0.0330UF 5% 100V |
| 150332J630BB | CAP FILM 3300PF 630VDC AXIAL |
| 150103K630BB | CAP FILM 10000PF 630VDC AXIAL |
| ASVMPC-15.000MHZ-Z-T | OSC 15.000 MHZ CMOS MEMS SMD |
| CX2016DB24000D0GEJZ1 | CRYSTAL 24.000MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD2P40TF_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 400V 1.56A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD2P40TM | 功能描述:MOSFET 400V P-ChannelQFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD30 | 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TOUCH FINDER DC PS |
| FQ-D30 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:TOUCH FINDER, DC PS 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TOUCH FINDER DC PS 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:Touch Finder, DC PS 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:Touch Finder, DC PS |
| FQD30N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
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