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参数资料
| 型号： | FQD6N25TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD6N25TM
Top Mark
FQD6N25
Package
DPAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
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.
Max.
C+
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V DS = 200 V, I D = 5.5 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
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Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 6.2 mH, I AS = 4.4 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ 5 .5 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s , V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD6N25 Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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