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参数资料
| 型号： | FQD7N10LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
Top :
V GS
10.0 V
10
10
1
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
1
150 ℃
10
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
1.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.2
V GS = 5V
1
0.9
V GS = 10V
10
0.6
0
0.3
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
600
500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 50V
400
300
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
V DS = 80V
C oss
200
4
100
C rss
2
※ Note : I D = 7.3 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD7N10L Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD7N30TM | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK |
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| FQD7P20TM_F080 | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD7N10LTM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD7N10TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQD7N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQD7N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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