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参数资料
| 型号： | FQP24N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 24A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO-220, Molded, 3-Lead, Jedec Variation AB
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Dimension in Millimeters
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP24N08 Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP27N25 | MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 |
| FQP27P06_SW82127 | MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 |
| FQP2N60 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 |
| FQP2N80 | MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220 |
| FQP2N90 | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP26N03L | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP27N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP27N25 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 250V 25.5A TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220 |
| FQP27P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP27P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
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