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参数资料
| 型号： | FQP27P06_SW82127 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
- 15.0 V
2
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
10
- 5.5 V
- 5.0 V
1
10
10
1
Bottom : - 4.5 V
0
175 ℃
25 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
0.24
0.20
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.16
0.12
0.08
V GS = - 20V
V GS = - 10V
1
0
0.04
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3000
2500
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -30V
2000
C iss
※ Notes :
8
V DS = -48V
1500
1000
500
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = -27 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP27P06 Rev.C0
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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