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参数资料
| 型号： | FQP2N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 64W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
10
10
10
150 C
-55 C
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
1
0
o
o
10
25 C
2. T C = 25 C
-1
Notes :
1. 250us Pulse Test
o
o
Notes :
1. V DS = 40V
2. 250us Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
12
10
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
8
6
V GS = 10V
0
150 C
4
V GS = 20V
o
Note : T J = 25 C
25 C
2
o
o
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250us Pulse Test
10
0
0
1
2
3
4
5
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
500
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
450
400
350
300
250
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
6
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
200
150
100
50
C rss
Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
Note : I D = 2A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP2N60C / FQPF2N60C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP2N80 | MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220 |
| FQP2N90 | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 |
| FQP30N06L | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 |
| FQP30N06 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 |
| FQP32N20C | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP2N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP2N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP2N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP2N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP2N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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