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参数资料
型号： FQP2N80
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 50
系列： QFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 2.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 6.3 欧姆 @ 1.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 550pF @ 25V
功率 - 最大： 85W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQP2N80
Top Mark
FQP2N80
Package
TO-220
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 800 V, V GS = 0 V
V DS = 640 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
800
--
--
--
--
--
--
0.9
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 1.2 A
V DS = 50 V, I D = 1.2 A
3.0
--
--
--
4.9
2.65
5.0
6.3
--
V
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
425
45
5.5
550
60
7.0
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 400 V, I D = 2.4 A,
R G = 25 Ω
V DS = 640 V, I D = 2.4 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
12
30
25
28
12
2.6
6.0
35
70
60
65
15
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
2.4
9.6
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 2.4 A
V GS = 0 V, I S = 2.4 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
480
2.0
1.4
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. L = 59 mH, I AS = 2.4 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 2.4 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP2N80 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FQP2NA90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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