- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录433 > FQP30N06 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQP30N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 945pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQP30N06-ND FQP30N06FS |
Typical Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15.0 V
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
10
10
1
1
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
10
100
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
60
V GS = 10V
10
40
20
V GS = 20V
1
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
10
0
20
40 60 80
I D , Drain Current [A]
100
120
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.4
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 30V
V DS = 48V
1000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
500
C rss
2
0
※ Note : I D = 30A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
4
8 12
Q G , Total Gate Charge [nC]
16
20
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP30N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP32N20C | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 |
| FQP33N10 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 |
| FQP34N20 | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 |
| FQP3N60C | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 |
| FQP3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP30N06_Q | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP30N06L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP32N12V2 | 功能描述:MOSFET N_ch/120V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP32N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP32N20C_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 28A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。