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参数资料
| 型号： | FQP46N15 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 22.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 210W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
December 2013
FQP46N15
N-Channel QFET ? MOSFET
15 0 V, 45.6 A, 42 m ?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,
DC motor control, and variable switching power applications.
Features
? 45.6 A, 150 V, R DS(on) = 42 m ? (Max.) @ V GS = 10
V, I D = 22.6 A
? Low Gate Charge (Typ. 85 nC)
? Low Crss (Typ. 100 pF)
? 100% Avalanche Tested
? 175°C Maximum Junction Temperature Rating
D
GD
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220
T C = 25°C unless otherwise noted .
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Unit
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1/8" from Case for 5 Seconds.
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Thermal Characteristics
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Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQP46N15
0.7
-' &
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6 ?
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP46N15 Rev. C 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP47P06_SW82049 | MOSFET P-CH 60V 47A TO-220 |
| FQP4N80 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220 |
| FQP4N90C | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220 |
| FQP4P40 | MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220 |
| FQP50N06L | MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP47P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP47P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTORTRANSISTOR POLARITY:DUA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 47A, TO-220 |
| FQP47P06_NW82049 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP47P06_SW82049 | 功能描述:MOSFET 60V 47A 0.026Ohm P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP47P06NW82049 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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