| 型号: |
FQP7N80C |
| 厂商: |
Fairchild Semiconductor |
| 文件页数: |
10/10页 |
| 文件大小: |
0K |
| 描述: |
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220 |
| 产品培训模块: |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 产品变化通告: |
Design/Process Change Notification 26/June/2007
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| 标准包装: |
50 |
| 系列: |
QFET™ |
| FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
800V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
6.6A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大): |
5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
35nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1680pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
167W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-220-3
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| 供应商设备封装: |
TO-220
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| 包装: |
管件
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