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参数资料
| 型号： | FQPF27N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF27N25-ND FQPF27N25FS |
Typical Characteristics (continued)
1.2
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 13.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
15
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
is Limited by R DS(on)
100 μ s
12
10
1
10 ms
100 ms
1 ms
9
DC
10
0
6
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
3
10
10
10
10
-2
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 2 .2 7 ℃ / W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
P DM
10
-2
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF27N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX2373EGC+T | IC LNA W/STEP ATTEN & VGA 12QFN |
| A41-80-20 | XFRMR PWR 20.0VCT 4.0A QC .187 |
| IXFK74N50P2 | MOSFET N-CH 500V 74A TO264 |
| DZ-10GW-1A | SWITCH LEVER DPDT 10A SLD TERM |
| DMT-8-12 | XFRMR 115/230V 5V 4A 8VA 3OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF27N25T | 功能描述:MOSFET N-CH/250V /27A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF27P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF28N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF28N15T | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF2N30 | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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