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参数资料
| 型号： | FQPF47P06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF47P06-ND FQPF47P06FS |
Elerical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
I D = -250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = -60 V, V GS = 0 V
V DS = -48 V, T C = 150°C
V GS = -25 V, V DS = 0 V
V GS = 25 V, V DS = 0 V
-60
--
--
--
--
--
--
-0.06
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10 V, I D = -15 A
-2.0
--
--
0.021
-4.0
0.026
V
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = -30 V, I D = -15 A
(Note 4)
--
19
--
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
2800
1300
320
3600
1700
420
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -30 V, I D = -23.5 A,
R G = 25 ?
(Note 4, 5)
V DS = -48 V, I D = -47 A,
V GS = -10 V
(Note 4, 5)
--
--
--
--
--
--
--
50
450
100
195
84
18
44
110
910
210
400
110
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
-30
-120
A
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = -30 A
V GS = 0 V, I S = -47 A,
--
--
--
130
-4.0
--
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
0.55
--
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 1.06mH, I AS = -30A, V DD = -25V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ -47A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF47P06 / FQPF47P06YDTU Rev. C0
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF47P06YDTU | 功能描述:MOSFET -60V -30A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N20L | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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