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参数资料
| 型号： | FQPF4N90C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
※ Notes :
1.5
1.0
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 2.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
10
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
2
Operation in This Area
2
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
is Limited by R DS(on)
10 μ s
10
10
1
100 μ s
1 ms
1
1 ms
100 μ s
10 ms
10 ms
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
100 ms
0
-1
DC
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
100 ms
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
-2
0
1
2
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP4N90C
5
4
3
2
1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF4N90C
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP4N90C / FQPF4N90C Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC-12-2000 | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 2.0A |
| DPC-12-100 | XFRMR PWR 115/230V 12.6VCT 100MA |
| DMPC-X-15 | XFRMR 115/230V 10VA 3OUT PCB |
| DMPC-X-12 | XFRMR 115/230V 10VA 3OUT PCB |
| DP-241-5-56L | XFRMR PWR 115/230V 56VCT 0.22A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF4N90CT | 功能描述:MOSFET 900V, 4A, NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4P25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4P40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF50N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF50N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
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