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参数资料
| 型号： | FQPF5P20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
December 2013
FQPF5P20
P-Channel QFET ? MOSFET
-200 V, -3.4 A, 1.4 Ω
Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to reduce
on-state resistance, and to provide superior switching
performance and high avalanche energy strength. These
devices are suitable for switched mode power supplies,
Features
? -3.4 A, -200 V, R DS(on) = 1.4 ? (Max.) @ V GS = -10 V,
I D = -1.7 A
? Low Gate Charge (Typ. 10 nC)
? Low C rss (Typ. 12 pF)
? 100% Avalanche Tested
audio amplifier, DC motor control, and variable switching
power applications.
S
G
D
G
S
TO-220F
D
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted .
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQPF5P20
-200
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
-3.4
-2.15
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
-13.6
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
T L
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate Above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering,
1/8 " from Case for 5 Seconds.
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
330
-3.4
3.8
-5.5
38
0.3
-55 to +150
300
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQPF5P20
3.29
62.5
Unit
°C / W
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF5P20 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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