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参数资料
| 型号： | FQPF65N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 56W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF65N06-ND FQPF65N06FS |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
10
10
2
1
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
1
175 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1
0
2
4
6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
10
10
30
25
20
15
10
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
V GS = 20V
2
1
Figure 2. Transfer Characteristics
5
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
10
0
50
100 150 200
I D , Drain Current [A]
250
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0 1.2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.4
1.6
1.8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
5000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
4000
C oss
10
8
V DS = 30V
V DS = 48V
3000
2000
1000
C iss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 65A
0
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
10
20 30
Q G , Total Gate Charge [nC]
40
50
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF65N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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