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参数资料
| 型号： | FQPF6N80CT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 51W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 3.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
10 2
Operation in This Area
2
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
is Limited by R DS(on)
10 μ s
10
10
1
100 μ s
1 ms
1
100 μ s
1 ms
10
10
0
DC
10 ms
100 ms
0
DC
10 ms
100 ms
10
10
2. T J = 150 C
-1
Notes :
1. T C = 25 o C
o
3. Single Pulse
-1
Notes :
1. T C = 25 o C
2. T J = 150 o C
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
10 -2
10 0
10 1
10 2
10 3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP6N80C
6
5
4
3
2
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF6N80C
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP6N80C / FQPF6N80C Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF6N90CT | MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F |
| FQPF70N10 | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F |
| FQPF7N60 | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F |
| FQPF7P20 | MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F |
| FQPF85N06 | MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF6N80T | 功能描述:MOSFET N-CH/800V/6A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF6N90 | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF6N90 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF6N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF6N90CT | 功能描述:MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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