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参数资料
| 型号： | FQPF8N80C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.55 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 59W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 17 . TO220, Molded, 3-Lead, Full Pack, EIAJ SC91, Straight Lead
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?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N80C / FQPF8N80C / FQPF8N80CYDTU Rev. C1
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR4520-50 | TRANSDUCER VOLTAGE 50V TRUE RMS |
| CR4860-250 | TRANSDCR VLTGE 0-250VAC AVRG RMS |
| 3022-200-P | SENS ACCLRMTR 200G ADHESIVE MT |
| 3022-100-N | SENS ACCLRMTR 100G ADHESIVE MT |
| 18620457 | LED BAYONET MULTI T3-1/4 28V BLU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF8N80C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N80CXDTU | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF8N80CYDTU | 功能描述:MOSFET HIGH_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF8N80CYDTU_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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