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参数资料
| 型号： | FQU20N06TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK |
| 标准包装： | 5,040 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 590pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 16 . TO252 (D-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA&AB
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?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD20N06 Rev. C1
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLSG-16.384MHZ-D-2-Y-T | CRYSTAL 16.384 MHZ 18PF SMD |
| B32529C1332K289 | FILM CAP 0.0033UF 10% 100V |
| B32529C123J289 | FILM CAP 0.0120UF 5% 63V |
| 026TB32R251B1B1 | POT 250 OHM 5W WIREWOUND W/SW |
| B32529C1332K189 | FILM CAP 0.0033UF 10% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQU24N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU26N03L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251 |
| FQU26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2N100 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1000V N-Channel MOSFET |
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