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参数资料
| 型号： | FQU2N80TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK |
| 标准包装： | 5,040 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1.2 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
2.0
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
1
is Limited by R DS(on)
1.6
10
0
DC
10 μ s
100 μ s
1 ms
10 ms
1.2
0.8
10
1. T C = 25 C
-1
※ Notes :
o
0.4
10
10
10
2. T J = 150 C
10
10
-2
0
1
o
3. Single Pulse
2
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 2 .5 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 2
P DM
0 .0 1
s i n g l e p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N80 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD25P03LG | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK |
| AML22CBB3BC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.1A 125V |
| P160KN2-4QC20B10K | POT ROTARY 10K OHM 16MM PC PIN |
| NTD23N03RG | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| P090L-02F25BR10K | POT ROTARY 10K OHM 9MM SNAPIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU2N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQU2N90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2N90TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2N90TU_WS | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
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